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 基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求：BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络（BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合，BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合）、BASiCSEMI基本半导体的平面栅器件B3M及更新的沟槽器件（研发中）、BASiCSEMI基本半导体的功率模块封装和电力电子建模、系统理解、与最广泛的汽车、BASiCSEMI基本半导体工业和可再生能源客户的合作，以及未来可根据实际市场需求进行扩展的成本弹性生产足迹，正是这些的因素，使BASiCSEMI基本半导体碳化硅功率器件业务在未来的发展中不断取得成功。
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| 公司名称： |
上海倾佳电力电子技术有限公司 |
公司类型： |
企业单位 (服务商) |
| 所 在 地： |
上海 |
公司规模： |
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| 注册资本： |
未填写 |
注册年份： |
2018 |
| 资料认证： |
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| 保 证 金： |
已缴纳 0.00 元 |
| 经营模式： |
服务商 |
| 经营范围： |
SiC革IGBT命|BASiC基本半导体一级代理商|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代三菱IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代赛米控IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代FUJI富士IGBT模块|62mm基本SiC碳化硅MOSFET模块|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模块|基本SiC碳化硅降低电源纹波系数|动态响应|电抗成本|华东电力电子|BASiC基本?华东SiC碳化硅功率器件 |
| 销售的产品： |
SiC革IGBT命|BASiC基本半导体一级代理商|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代三菱IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代赛米控IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代FUJI富士IGBT模块|62mm基本SiC碳化硅MOSFET模块|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模块|基本SiC碳化硅降低电源纹波系数|动态响应|电抗成本|华东电力电子|BASiC基本?华东SiC碳化硅功率器件 |
| 采购的产品： |
SiC革IGBT命|BASiC基本半导体一级代理商|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代英飞凌IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代三菱IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代赛米控IGBT模块|上海基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块替代FUJI富士IGBT模块|62mm基本SiC碳化硅MOSFET模块|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模块|基本SiC碳化硅降低电源纹波系数|动态响应|电抗成本|华东电力电子|BASiC基本?华东SiC碳化硅功率器件 |
| 主营行业： |
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